000 -Cabecera (24) |
Campo de control interno |
00621nam a2200229Ia 4500 |
001 - Número de control |
Campo de control |
UNL445 |
007 - Tipo material - Descripcion fisica - info general |
Tipo material |
ta |
008 - Códigos de longitud fija (40p) |
Campo de control de longitud fija |
190516s1979||||xx |||||||||||||| ||spa|| |
040 ## - Origen de la Catalogacion |
Origen de la Catalogacion |
UNL |
041 ## - Código de idioma (R) |
Código de lengua del texto/banda sonora o título independiente (R) |
spa |
082 ## - Número de la Clasificación |
Clasificación Dewey |
621.381 C311m |
100 ## - Autor Personal |
Autor Personal |
Carr, W. N. |
Término indicativo de función (R) |
Autor |
245 #0 - Titulo |
Titulo |
MOS/LSI. Diseño y aplicaciones. |
260 ## - Editorial |
Ciudad |
Barcelona |
Nombre de la Editorial |
Marcombo |
Fecha |
1979 |
300 ## - Descripcion |
Páginas |
369 páginas |
650 ## - Temas - Descriptores |
Temas - Descriptores |
CIRCUITOS ELECTRÓNICOS |
9 (RLIN) |
2229 |
650 ## - Temas - Descriptores |
Temas - Descriptores |
CIRCUITOS INTEGRADOS EN GRAN ESCALA |
9 (RLIN) |
2351 |
650 ## - Temas - Descriptores |
Temas - Descriptores |
ELECTRÓNICA |
9 (RLIN) |
1774 |
650 ## - Temas - Descriptores |
Temas - Descriptores |
SEMICONDUCTORES DE METALOXIDO |
9 (RLIN) |
2352 |
700 ## - Autor Personal |
Autor Personal |
Mize, J. P. |
Término indicativo de función (R) |
Autor |
9 (RLIN) |
2353 |
942 ## - Datos personalizados Koha |
Tipo de Documento |
Libros |